Depósito asistido por plasma (PECVD)
El depósito de capas mediante PECVD permite obtener películas delgadas de una gran variedad de materiales que se depositan sobre un substrato.
Para realizar el proceso de PECVD, se suministra energía eléctrica a una mezcla de gases en condiciones de bajo vacío para generar el plasma. Los componentes de este plasma pueden reaccionar sobre el sustrato.
El resultado de esta reacción permite el depósito de una capa superficial con gran uniformidad y calidad sobre el sustrato. Estos procesos de depósito se emplean para depositar materiales (Silicio, carbono, nanotubos de carbono, nitruro de silicio, nitruro de titanio, etc) en diversas formas, monocristalinos, policristalinos, amorfos y epitaxiales.
Productos de esta categoría
ICP plasma deposition system SI 500 D
Rendimiento excepcional para procesos de depósitos basados en plasma. Películas dieléctricas y Si de alta calidad se pueden depositar mediante PECVD de alta densidad generada con la fuente de plasma PTSA ICP.
PECVD loadlock system SI 500 PPD
Ofrece una variedad de procesos de deposición de plasma estándar. SiO2, SiNx, SiOxNy, y a-Si se pueden depositar con el plasma por acoplamiento capacitivo.
PECVD direct loading system Depolab 200
Combina la carga directa más efectiva y fuente de plasma de placas paralelas en un diseño básico y compacto. El sistema PECVD inteligente puede ser actualizado para mejorar el rendimiento bajo petición.
